Parylene coating在可见光的范围内吸收得很少,因此是透明无色的。无色透明的薄膜可用于光学器件、可擦性光电储存器件和静电复印器件。在低于280微米时,ParyleneN和ParyleneC的吸收都很强。所有的Paryleng在至少60微米的波长下都相对没有特性(除了一些峰值特性以外)。图5,6和7表示1个mil薄膜的红外光谱。
Parylene介电性能与温度的关系
Parylene还具有较好的介点性能。由于其高介电强度,它们可被制作成连续薄膜,并不含传统涂层所有的缺陷和填充剂;缺陷和填充剂都可以减少介电强度。
Parylene的真空气相沉积工艺不仅和微电子集成电路制作工艺相似,而且所制备的Parylene涂层介电常数也低,还能用微电子加工工艺进行刻蚀制图,进行再金属化,因此Parylene不仅可用作防护材料,而且也能作为结构层中的介电材料和掩膜材料使用,经Parylene涂敷过的集成电路芯片,其25um细直径连接线,连接强度可提高5-10倍。
Parylene能在0.2um厚时就完全没有针孔,5um时就能耐1000V以上直流击穿电压
ParyleneC预计可以暴露在持续100℃的空气下10年(100,000小时)。在无氧的气体环境或者在真空状态下,Parylene估计可以暴露在220℃的温度下持续相同的时间。在所有的情况下,高温降低使用寿命。如果应用的环境要求接近或者**过了这个时间——温度——空气环境,建议用更接近实际使用环境的条件进行全部的测试。
Parylene可以经过韧化来提高击穿阻抗,提高硬度及改进摩擦阻抗。这是密度和结晶度提高的结果。